该公司将在龙仁“Y2”晶圆厂投资35.2万亿韩元，在清州“M17”晶圆厂投资19.1万亿韩元。
为执行中长期投资战略……Y2 计划于 2029 年 6 月启用洁净室，M17 计划于 2028 年 12 月启用。
扩大DRAM和NAND的生产基地，并根据客户需求提高产能。
“这是一项战略性投资决策，旨在抓住市场增长速度带来的机遇，并为全球人工智能半导体供应链的稳定做出贡献。”
韩国首尔，2026 年 8 月 7 日 SK 海力士公司(或“公司”，www.skhynix.com)今天宣布，为应对人工智能时代对存储器不断增长的需求，公司决定在龙仁和清州建设新的晶圆厂。
在一次董事会会议上，该公司批准了总计约 54 万亿韩元的投资计划，其中 35.2 万亿韩元投资于龙仁“Y2”工厂，19.1 万亿韩元投资于清州“M17”工厂。
这项决定标志着该公司去年6月公布的中长期投资战略的落实。根据其在龙仁半导体产业集群投资600万亿韩元、在清州生产基地扩建投资100万亿韩元的总体规划，SK海力士目前正在龙仁建设其首座晶圆厂(Y1)。随着这项最新决定的出台，该公司将在龙仁和清州两地继续建设后续晶圆厂。
市场研究公司 Omdia 预测，从去年到 2030 年，DRAM 和 NAND 的需求都将保持 19% 的复合年增长率 (CAGR)。该公司认为，这种增长并非暂时的超级周期，而是一次结构性转型，存储器将超越其作为简单组件的角色，成为决定人工智能性能的核心基础设施。
SK海力士指出，在人工智能时代，仅凭技术竞争力是不够的，能够在客户需要时精准供应所需数量才是最终的竞争优势。我们在对市场需求进行全面评估后，做出了这项投资决定。
龙仁Y2是龙仁半导体产业集群规划的四座晶圆厂中的第二座，将作为DRAM生产基地，总建筑面积达34.1万坪(约113万平方米)。该项目计划于明年7月破土动工，目标是在2029年6月启用首个洁净室，用于生产高带宽内存(HBM)和其他下一代DRAM产品。与此同时，Y1的建设也在稳步推进，预计将于明年2月启用首个洁净室。
SK海力士此前设定目标，将龙仁半导体产业集群的竣工日期提前12年——从原计划的2045年提前至2033年——以完成全部四座晶圆厂的建设。Y2项目的建设是支持这一加速计划的第二阶段，投资将持续到2031年10月。
投资额包括为Y2人员提供行政和福利设施的“业务支持大楼”的建设费用、为整合产品开发测试、分析和实验而建设的“综合研发中心”的建设费用，以及辅助基础设施[1]。
位于京畿道龙仁市处仁区元三面，占地约126万坪(约416万平方米)的龙仁半导体产业集群，其一期电力和水利基础设施建设已接近尾声，目前已完成99%，足以满足二期运营所需。由于晶圆厂建设和基础设施配套设施建设同步进行，公司计划按计划推进二期建设。
在NAND闪存市场，受人工智能服务全面扩张的推动，企业级固态硬盘(SSD)的需求正迅速增长。此外，人工智能推理中对键值(KV)缓存[2]存储的需求也进一步促进了这一增长，随着智能体人工智能和物理人工智能的引入，其应用领域预计将进一步拓展。
SK海力士选择清州作为其新的NAND闪存晶圆厂基地，是因为该厂拥有最快的建设周期。清州园区已建成M11、M12和M15晶圆厂，与现有工厂的运营无缝衔接，并配备了完善的电力和水利基础设施，从而能够高效地进行生产。清州M17晶圆厂占地20.6万坪(约68万平方米)，计划于明年2月破土动工，并于2028年12月启用首个洁净室。根据总体规划，该项目投资期将持续到2031年4月。
SK海力士计划根据与客户讨论的中长期需求，积极保障生产基础设施，并根据客户需求的进展情况逐步扩大实际产能。晶圆厂将按照总体规划建设，而洁净室扩建和设备安装将根据需求趋势分阶段进行，以最大限度地提高资本效率。
该公司期望这项投资能够为未来的增长奠定坚实的基础，同时增强国内半导体生态系统的竞争力，并促进当地经济发展。在龙仁和清州的大规模同步投资预计将为供应链合作伙伴拓展共同增长机遇，创造就业机会，并振兴当地商业区，从而为国民经济的可持续发展做出贡献。
SK海力士一位负责人表示：“这项投资是为了抓住市场增长机遇而做出的决定。通过积极保障产能，我们旨在成为人工智能基础设施的关键合作伙伴，为全球人工智能半导体供应链的稳定做出贡献。”
